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SK海力士宣布量产世界最高238层4DNAND闪存

来源:网络 阅读量:15491 时间:2023-06-09 12:12   
导读,SK海力士宣布已开始量产238层4DNAND闪存,并正在与生产智能手机的海外客户公司进行产品验证。此前,SK海力士于去年8月成功开发出世界最高238层NAND闪存。SK海力士强调:“公司以238层NAND闪存为基础,成功开发适用于智能手机...
SK海力士宣布量产世界最高238层4DNAND闪存

,SK海力士宣布已开始量产238层4D NAND闪存,并正在与生产智能手机的海外客户公司进行产品验证。此前,SK海力士于去年8月成功开发出世界最高238层NAND闪存。

SK海力士强调:“公司以238层NAND闪存为基础,成功开发适用于智能手机和PC的客户端SSD解决方案产品,并在5月已开始量产。公司在176层甚至在238层产品,都确保了成本、性能和品质方面的世界顶级竞争力,期待这些产品在下半年能够起到改善公司业绩的牵引作用。”

238层NAND闪存作为世界上最小体积的芯片,生产效率比上一代的176层提升了34%,成本竞争力得到了大幅改善。此产品的数据传输速度为每秒2.4Gb,比上一代的速度快50%。并且也改善了约20%的读写性能,由此公司自信,可将为采用该产品的智能手机和PC客户提供更高的性能。

SK海力士计划在完成智能手机客户公司的验证后,首先向移动端产品供应238层NAND闪存,随后将其适用范围扩大到基于PCIe 5.0的PC固态硬盘和数据中心级高容量固态硬盘产品等。

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